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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFL32N120P
IXFL32N120P

IXFL32N120P - IXYS

品番
IXFL32N120P
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFL32N120P PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
669 pcs
参考価格
USD 39.424/pcs
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IXFL32N120P 詳細な説明

品番 IXFL32N120P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 24A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 6.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 360nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 21000pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 520W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 340 mOhm @ 16A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ ISOPLUSi5-Pak™
パッケージ/ケース ISOPLUSi5-Pak™
重量 -
原産国 -

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