IXDN509D1T/R - IXYS

品番	IXDN509D1T/R
部品ステータス	Obsolete
駆動構成	Low-Side
チャネルタイプ	Single
ドライバ数	1
ゲートタイプ	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電圧 - 供給	4.5 V ~ 30 V
ロジック電圧 - VIL、VIH	0.8V, 2.4V
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）	9A, 9A
入力方式	Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）	-
立ち上がり/立ち下がり時間（Typ）	25ns, 23ns
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	6-VDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ	6-DFN (4x5)
重量	-
原産国	-

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