| 品番 | IX4R11M6T/R |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| 駆動構成 | Half-Bridge |
| チャネルタイプ | Independent |
| ドライバ数 | 2 |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 電圧 - 供給 | 10 V ~ 20 V |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 6V, 7V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 4A, 4A |
| 入力方式 | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 650V |
| 立ち上がり/立ち下がり時間（Typ） | 23ns, 22ns |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 16-VDFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | 16-MLP (7x6) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IX4R11M6 | IXYS | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP | 詳細 |
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IX4R11M6T/R | IXYS | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP | 詳細 |
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IX4R11P7 | IXYS | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 14DIP | 詳細 |
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IX4R11S3 | IXYS | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC | 詳細 |
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IX4R11S3T/R | IXYS | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC | 詳細 |
