日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

IS49NLC93200-25B

IS49NLC93200-25B - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品番: IS49NLC93200-25B
メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
簡単な説明: IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IS49NLC93200-25B PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: IS49NLC93200-25B.pdf
カテゴリー: メモリ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 4263 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IS49NLC93200-25B 詳細な説明

品番	IS49NLC93200-25B
部品ステータス	Active
メモリの種類	Volatile
メモリフォーマット	DRAM
技術	DRAM
メモリー容量	288Mb (32M x 9)
クロック周波数	400MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	-
アクセス時間	20ns
メモリインターフェイス	Parallel
電圧 - 供給	1.7 V ~ 1.9 V
動作温度	0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	144-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ	144-FCBGA (11x18.5)
重量	-
原産国	-

関連製品 IS49NLC93200-25B

画像	品番	メーカー	説明	見る
	IS49NLC18160-25B	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA	詳細
	IS49NLC18160-25BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA	詳細
	IS49NLC18160-25BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA	詳細
	IS49NLC18160-25BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 400MHZ 144BGA	詳細
	IS49NLC18160-25WBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ	詳細
	IS49NLC18160-33B	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	詳細
	IS49NLC18160-33BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	詳細
	IS49NLC18160-33BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	詳細
	IS49NLC18160-33BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	詳細
	IS49NLC18160-33WBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ	詳細