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IS43DR16160B-3DBI

IS43DR16160B-3DBI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品番: IS43DR16160B-3DBI
メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
簡単な説明: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IS43DR16160B-3DBI PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: メモリ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 32205 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IS43DR16160B-3DBI 詳細な説明

品番	IS43DR16160B-3DBI
部品ステータス	Active
メモリの種類	Volatile
メモリフォーマット	DRAM
技術	SDRAM - DDR2
メモリー容量	256Mb (16M x 16)
クロック周波数	333MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	15ns
アクセス時間	450ps
メモリインターフェイス	Parallel
電圧 - 供給	1.7V ~ 1.9V
動作温度	-40°C ~ 85°C
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	84-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ	84-TWBGA (8x12.5)
重量	-
原産国	-

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