IDT70P3337S233RM - IDT, Integrated Device Technology Inc

品番	IDT70P3337S233RM
部品ステータス	Obsolete
メモリの種類	Volatile
メモリフォーマット	SRAM
技術	SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
メモリー容量	9Mb (512K x 18)
クロック周波数	233MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	-
アクセス時間	7.2ns
メモリインターフェイス	Parallel
電圧 - 供給	1.7 V ~ 1.9 V
動作温度	0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	576-BBGA, FCBGA
サプライヤデバイスパッケージ	576-FCBGA (25x25)
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
IDT70P255L65BYGI8	IDT	IDT70P255L65BYGI8 IDT QFN New Original Stocks	詳細
IDT70P27L12PFG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 512KBIT 12NS 100TQFP	詳細
IDT70P3307S233RM	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 18MBIT 233MHZ 576FCBGA	詳細
IDT70P3307S233RMI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 18MBIT 233MHZ 576FCBGA	詳細
IDT70P3307S250RM	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 18MBIT 250MHZ 576FCBGA	詳細
IDT70P3337S233RM	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 233MHZ 576FCBGA	詳細
IDT70P3337S233RMI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 233MHZ 576FCBGA	詳細
IDT70P3337S250RM	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 250MHZ 576FCBGA	詳細
IDT70P3517S233RM	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 233MHZ 576FCBGA	詳細
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