| 品番 | SPB80N03S2L-05 G |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 110µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 89.7nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3320pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 167W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.9 mOhm @ 55A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB80N03L | infineon | SPB80N03L infineon TO263 New Original Stocks | 詳細 |
|
SPB80N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 詳細 |
|
SPB80N03S203GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 詳細 |
|
SPB80N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 詳細 |
|
SPB80N03S2L-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 詳細 |
|
SPB80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 詳細 |
|
SPB80N03S2L-04 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 詳細 |
|
SPB80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 詳細 |
|
SPB80N03S2L-05 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 詳細 |
|
SPB80N03S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 詳細 |
