| 品番 | SISC050N10DX1SA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
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SISC050N10DX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHAN SAWED WAFER | 詳細 |
