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SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1 - Infineon Technologies

品番: SISC050N10DX1SA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SISC050N10DX1SA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 585692 pcs
参考価格: USD 0.28112/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SISC050N10DX1SA1 詳細な説明

品番	SISC050N10DX1SA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	-
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On（Max）@ Id、Vgs	-
Vgs（th）（Max）@ Id	-
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
Vgs（最大）	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	-
FET機能	-
消費電力（最大）	-
動作温度	-
取付タイプ	-
サプライヤデバイスパッケージ	-
パッケージ/ケース	-
重量	-
原産国	-

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