品番 | SDD04S60 |
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部品ステータス | Obsolete |
ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
電圧 - DC逆(Vr)(最大) | 600V |
電流 - 平均整流(Io) | 4A (DC) |
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If | 1.9V @ 4A |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
逆回復時間(trr) | 0ns |
電流 - 逆リーク(Vr) | 200µA @ 600V |
容量Vr、F | 150pF @ 0V, 1MHz |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
サプライヤデバイスパッケージ | P-TO252-3 |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
重量 | - |
原産国 | - |