| 品番 | IRF6706S2TR1PBF |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Ta), 63A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.35V @ 25µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1810pF @ 13V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta), 26W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.8 mOhm @ 17A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET S1 |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric S1 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IRF6702M2DTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | 詳細 |
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