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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPU060N03L G
IPU060N03L G

IPU060N03L G - Infineon Technologies

品番
IPU060N03L G
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 50A TO-251-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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IPU060N03L G.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4461 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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IPU060N03L G 詳細な説明

品番 IPU060N03L G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 50A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 23nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2400pF @ 15V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 56W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 6 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO251-3
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 -
原産国 -

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