| 品番 | IPL65R210CFDAUMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16.6A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 700µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 68nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1850pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 151W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 210 mOhm @ 7.3A, 10V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-VSON-4 |
| パッケージ/ケース | 4-PowerTSFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 詳細 |
|
IPL65R099C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 詳細 |
|
IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON | 詳細 |
|
IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 詳細 |
|
IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | 詳細 |
|
IPL65R190E6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 詳細 |
|
IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 詳細 |
|
IPL65R1K0C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | 詳細 |
|
IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | 詳細 |
|
IPL65R210CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 詳細 |
