| 品番 | IPDD60R102G7XTMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 102 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 390µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1320pF @ 400V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 139W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-HDSOP-10-1 |
| パッケージ/ケース | 10-PowerSOP Module |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 | 詳細 |
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IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10 | 詳細 |
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IPDD60R102G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 | 詳細 |
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IPDD60R125G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10 | 詳細 |
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IPDD60R150G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10 | 詳細 |
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IPDD60R190G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10 | 詳細 |
