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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPD65R1K5CEAUMA1
IPD65R1K5CEAUMA1

IPD65R1K5CEAUMA1 - Infineon Technologies

品番
IPD65R1K5CEAUMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH TO-252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPD65R1K5CEAUMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
108399 pcs
参考価格
USD 0.2393/pcs
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IPD65R1K5CEAUMA1 詳細な説明

品番 IPD65R1K5CEAUMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 700V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.2A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 100µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 10.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 225pF @ 100V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 53W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.5 Ohm @ 1A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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