| 品番 | IPD30N06S2-15 |
|---|---|
| 部品ステータス | Discontinued at Digi-Key |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 55V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 80µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 110nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1485pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 136W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 14.7 mOhm @ 30A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD30N03S2L-07 | infineon | IPD30N03S2L-07 infineon TO-252 New Original Stocks | 詳細 |
|
IPD30N03S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 詳細 |
|
IPD30N03S2L10ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 詳細 |
|
IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 詳細 |
|
IPD30N03S4L-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 詳細 |
|
IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 詳細 |
|
IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 詳細 |
|
IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 詳細 |
|
IPD30N06S215ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 詳細 |
|
IPD30N06S223ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 詳細 |
