IPC302N12N3X1SA1

IPC302N12N3X1SA1 - Infineon Technologies

品番
IPC302N12N3X1SA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
9107 pcs
参考価格
USD 2.9223/pcs
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IPC302N12N3X1SA1 詳細な説明

品番 IPC302N12N3X1SA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 120V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1A (Tj)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 275µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) -
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 100 mOhm @ 2A, 10V
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Sawn on foil
パッケージ/ケース Die
重量 -
原産国 -

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