| 品番 | IPA95R1K2P7XKSA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 950V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 140µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 478pF @ 400V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 27W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220 Full Pack |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IPA95R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 6A TO252 | 詳細 |
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IPA95R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 14A TO252 | 詳細 |
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IPA95R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 9A TO252 | 詳細 |
