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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPA50R199CP
IPA50R199CP

IPA50R199CP - Infineon Technologies

品番
IPA50R199CP
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPA50R199CP PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1002 pcs
参考価格
USD 3.08/pcs
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IPA50R199CP 詳細な説明

品番 IPA50R199CP
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 17A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 660µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 45nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1800pF @ 100V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 139W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 199 mOhm @ 9.9A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-FP
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
重量 -
原産国 -

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