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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1

IKW30N65H5XKSA1 - Infineon Technologies

品番
IKW30N65H5XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IKW30N65H5XKSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IKW30N65H5XKSA1.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
760 pcs
参考価格
USD 3.2/pcs
私達の価格
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IKW30N65H5XKSA1 詳細な説明

品番 IKW30N65H5XKSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 650V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 55A
電流 - コレクタパルス（Icm） 90A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 30A
電力 - 最大 188W
スイッチングエネルギー 280µJ (on), 100µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 70nC
Td（オン/オフ）@ 25℃ 20ns/190ns
テスト条件 400V, 15A, 23 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） 70ns
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-247-3
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3
重量 -
原産国 -

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