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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › FZ2400R12HE4B9HOSA2
FZ2400R12HE4B9HOSA2

FZ2400R12HE4B9HOSA2 - Infineon Technologies

品番
FZ2400R12HE4B9HOSA2
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MODULE IGBT IHMB190-2
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FZ2400R12HE4B9HOSA2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
157 pcs
参考価格
USD 1032.24/pcs
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FZ2400R12HE4B9HOSA2 詳細な説明

品番 FZ2400R12HE4B9HOSA2
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Single Switch
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 3560A
電力 - 最大 13500W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 2400A
電流 - コレクタ遮断（最大） 5mA
入力容量（Cies）@ Vce 150nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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