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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › FS200R07PE4BOSA1
FS200R07PE4BOSA1

FS200R07PE4BOSA1 - Infineon Technologies

品番
FS200R07PE4BOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT MODULE 650V 200A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FS200R07PE4BOSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
995 pcs
参考価格
USD 165.43/pcs
私達の価格
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FS200R07PE4BOSA1 詳細な説明

品番 FS200R07PE4BOSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Three Phase Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 650V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 200A
電力 - 最大 600W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 1.95V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断（最大） 1mA
入力容量（Cies）@ Vce 12nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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