| 品番 | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.55V @ 20mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 125nC @ 15V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3950pF @ 800V |
| 電力 - 最大 | 20mW |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE | 詳細 |
