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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › FF1000R17IE4DB2BOSA1
FF1000R17IE4DB2BOSA1

FF1000R17IE4DB2BOSA1 - Infineon Technologies

品番
FF1000R17IE4DB2BOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FF1000R17IE4DB2BOSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
220 pcs
参考価格
USD 741.825/pcs
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FF1000R17IE4DB2BOSA1 詳細な説明

品番 FF1000R17IE4DB2BOSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 2 Independent
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1700V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） -
電力 - 最大 6250W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.45V @ 15V, 1000A
電流 - コレクタ遮断（最大） 5mA
入力容量（Cies）@ Vce 81nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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