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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › FD800R33KF2CKNOSA1
FD800R33KF2CKNOSA1

FD800R33KF2CKNOSA1 - Infineon Technologies

品番
FD800R33KF2CKNOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FD800R33KF2CKNOSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
82 pcs
参考価格
USD 1950.73/pcs
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FD800R33KF2CKNOSA1 詳細な説明

品番 FD800R33KF2CKNOSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 Single Chopper
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 3300V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） -
電力 - 最大 9600W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 4.25V @ 15V, 800A
電流 - コレクタ遮断（最大） 5mA
入力容量（Cies）@ Vce 100nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 125°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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