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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › FD400R12KE3B5HOSA1
FD400R12KE3B5HOSA1

FD400R12KE3B5HOSA1 - Infineon Technologies

品番
FD400R12KE3B5HOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT MODULE VCES 650V 400A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FD400R12KE3B5HOSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1220 pcs
参考価格
USD 134.857/pcs
私達の価格
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FD400R12KE3B5HOSA1 詳細な説明

品番 FD400R12KE3B5HOSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Single Chopper
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 580A
電力 - 最大 2000W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.15V @ 15V, 400A
電流 - コレクタ遮断（最大） 5mA
入力容量（Cies）@ Vce 28nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 125°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
FD400R07PE4RB6BOSA1 FD400R07PE4RB6BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 650V 400A 詳細
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