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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › FD1200R17KE3KNOSA1
FD1200R17KE3KNOSA1

FD1200R17KE3KNOSA1 - Infineon Technologies

品番
FD1200R17KE3KNOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MODULE IGBT IHM130-2
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FD1200R17KE3KNOSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
162 pcs
参考価格
USD 1012.855/pcs
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FD1200R17KE3KNOSA1 詳細な説明

品番 FD1200R17KE3KNOSA1
部品ステータス Not For New Designs
IGBTタイプ -
構成 Dual Brake Chopper
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1700V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 1600A
電力 - 最大 5950W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.45V @ 15V, 1200A
電流 - コレクタ遮断（最大） 5mA
入力容量（Cies）@ Vce 110nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 125°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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