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BSZ100N03MSGATMA1

BSZ100N03MSGATMA1 - Infineon Technologies

品番: BSZ100N03MSGATMA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: BSZ100N03MSGATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 97717 pcs
参考価格: USD 0.2673/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

BSZ100N03MSGATMA1 詳細な説明

品番	BSZ100N03MSGATMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	10A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	23nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1700pF @ 15V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.1W (Ta), 30W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	9.1 mOhm @ 20A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
重量	-
原産国	-

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