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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › BSZ0901NSIATMA1
BSZ0901NSIATMA1

BSZ0901NSIATMA1 - Infineon Technologies

品番
BSZ0901NSIATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
BSZ0901NSIATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
310460 pcs
参考価格
USD 0.53034/pcs
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BSZ0901NSIATMA1 詳細な説明

品番 BSZ0901NSIATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 25A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 41nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2600pF @ 15V
FET機能 Schottky Diode (Body)
消費電力（最大） 2.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
重量 -
原産国 -

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