BSZ014NE2LS5IFATMA1 詳細な説明
| 品番 |
BSZ014NE2LS5IFATMA1 |
| 部品ステータス |
Active |
| FETタイプ |
N-Channel |
| 技術 |
MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） |
25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） |
31A (Ta), 40A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） |
4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id |
2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs |
33nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds |
2300pF @ 12V |
| Vgs（最大） |
±16V |
| FET機能 |
Schottky Diode (Body) |
| 消費電力（最大） |
2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs |
1.45 mOhm @ 20A, 10V |
| 動作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ |
Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ |
PG-TSDSON-8-FL |
| パッケージ/ケース |
8-PowerTDFN |
| 重量 |
- |
| 原産国 |
- |
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