| 品番 | BSZ013NE2LS5IATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 32A (Ta), 40A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 50nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3400pF @ 12V |
| Vgs（最大） | ±16V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.3 mOhm @ 20A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8-FL |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A 8SON | 詳細 |
