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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › BSS119NH6433XTMA1
BSS119NH6433XTMA1

BSS119NH6433XTMA1 - Infineon Technologies

品番
BSS119NH6433XTMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
BSS119NH6433XTMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
368851 pcs
参考価格
USD 0.0736/pcs
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BSS119NH6433XTMA1 詳細な説明

品番 BSS119NH6433XTMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 190mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.3V @ 13µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.6nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 20.9pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 500mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 6 Ohm @ 190mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 -
原産国 -

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