BSP613PL6327HUSA1

BSP613PL6327HUSA1 - Infineon Technologies

品番
BSP613PL6327HUSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4380 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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BSP613PL6327HUSA1 詳細な説明

品番 BSP613PL6327HUSA1
部品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.9A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 33nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 875pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 130 mOhm @ 2.9A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223-4
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
重量 -
原産国 -

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