BSO615C G

BSO615C G - Infineon Technologies

品番
BSO615C G
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
56515 pcs
参考価格
USD 0.462/pcs
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BSO615C G 詳細な説明

品番 BSO615C G
部品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.1A, 2A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 20µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 22.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 380pF @ 25V
電力 - 最大 2W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ PG-DSO-8
重量 -
原産国 -

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