BSM75GB170DN2HOSA1

BSM75GB170DN2HOSA1 - Infineon Technologies

品番
BSM75GB170DN2HOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT 1700V 110A 625W MODULE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
847 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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BSM75GB170DN2HOSA1 詳細な説明

品番 BSM75GB170DN2HOSA1
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ -
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1700V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 110A
電力 - 最大 625W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 3.9V @ 15V, 75A
電流 - コレクタ遮断(最大) -
入力容量(Cies)@ Vce 11nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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