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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › BSM200GA120DN2HOSA1
BSM200GA120DN2HOSA1

BSM200GA120DN2HOSA1 - Infineon Technologies

品番
BSM200GA120DN2HOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
BSM200GA120DN2HOSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1230 pcs
参考価格
USD 133.831/pcs
私達の価格
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BSM200GA120DN2HOSA1 詳細な説明

品番 BSM200GA120DN2HOSA1
部品ステータス Not For New Designs
IGBTタイプ -
構成 Single Switch
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 300A
電力 - 最大 1550W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 3V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断（最大） 4mA
入力容量（Cies）@ Vce 13nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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