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BSC16DN25NS3 G - Infineon Technologies

品番: BSC16DN25NS3 G
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: BSC16DN25NS3 G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 12500 pcs
参考価格: USD 0.7449/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

BSC16DN25NS3 G 詳細な説明

品番	BSC16DN25NS3 G
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	250V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	10.9A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 32µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	11.4nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	920pF @ 100V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	62.5W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	165 mOhm @ 5.5A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TDSON-8
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
重量	-
原産国	-

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