BSC028N06NSTATMA1

BSC028N06NSTATMA1 - Infineon Technologies

品番
BSC028N06NSTATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
DIFFERENTIATED MOSFETS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
167620 pcs
参考価格
USD 0.98227/pcs
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BSC028N06NSTATMA1 詳細な説明

品番 BSC028N06NSTATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 24A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.3V @ 50µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 49nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3375pF @ 30V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta), 100W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
重量 -
原産国 -

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