| 品番 | BGSX22G5A10E6327XTSA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| RFタイプ | LTE, W-CDMA |
| トポロジー | - |
| 回路 | DPDT |
| 周波数範囲 | 100MHz ~ 6GHz |
| 分離 | 38dB |
| 挿入損失 | 1.1dB |
| 試験頻度 | 5.15GHz ~ 5.925GHz |
| P1dB | - |
| IIP3 | 80dBm |
| 特徴 | - |
| インピーダンス | 50 Ohm |
| 電圧 - 供給 | 1.65V ~ 3.4V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| パッケージ/ケース | 10-UFQFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-ATSLP-10-50 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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BGSX22G2A10E6327XTSA1 | Infineon Technologies | IC RF SWITCH DPDT ATSLP10-2 | 詳細 |
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BGSX22G5A10E6327XTSA1 | Infineon Technologies | IC RF SWITCH DPDT ATSLP10-50 | 詳細 |
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BGSX22GN10E6327XTSA1 | Infineon Technologies | IC SWITCH RF 10TSNP | 詳細 |
