| 品番 | BBY6605WH6327XTSA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 容量Vr、F | 13.5pF @ 4.5V, 1MHz |
| 容量比 | 5.41 |
| キャパシタンス比条件 | C1/C4.5 |
| 電圧 - ピークリバース（最大） | 12V |
| ダイオードタイプ | 1 Pair Common Cathode |
| Q @ Vr、F | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT323-3 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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BBY6602VH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE TUNING 12V 50MA SC79 | 詳細 |
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BBY6605WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE TUNING HIGH Q CC SOT-323 | 詳細 |
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BBY6605WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE TUNING 12V 50MA SOT323 | 詳細 |
