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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › AUIRF1018ES
AUIRF1018ES

AUIRF1018ES - Infineon Technologies

品番
AUIRF1018ES
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
AUIRF1018ES PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
AUIRF1018ES.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4120 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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AUIRF1018ES 詳細な説明

品番 AUIRF1018ES
部品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 79A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 100µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 69nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2290pF @ 50V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 110W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 8.4 mOhm @ 47A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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