1EBN1001AEXUMA1 - Infineon Technologies

品番	1EBN1001AEXUMA1
部品ステータス	Active
駆動構成	High-Side or Low-Side
チャネルタイプ	Single
ドライバ数	1
ゲートタイプ	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電圧 - 供給	13 V ~ 18 V
ロジック電圧 - VIL、VIH	1.5V, 3.5V
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）	-
入力方式	-
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）	1200V
立ち上がり/立ち下がり時間（Typ）	50ns, 90ns
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ	PG-DSO-14
重量	-
原産国	-