• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › GP1M020A060N
GP1M020A060N

GP1M020A060N - Global Power Technologies Group

品番
GP1M020A060N
メーカー
Global Power Technologies Group
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
GP1M020A060N PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
GP1M020A060N.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4499 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください GP1M020A060N

GP1M020A060N 詳細な説明

品番 GP1M020A060N
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 76nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2097pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 347W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 330 mOhm @ 10A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-3PN
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
重量 -
原産国 -

関連製品 GP1M020A060N

画像 品番 メーカー 説明 見る
GP1M003A040CG GP1M003A040CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 400V 2A DPAK 詳細
GP1M003A040PG GP1M003A040PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 400V 2A IPAK 詳細
GP1M003A050CG GP1M003A050CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK 詳細
GP1M003A050FG GP1M003A050FG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F 詳細
GP1M003A050HG GP1M003A050HG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 詳細
GP1M003A050PG GP1M003A050PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK 詳細
GP1M003A080CH GP1M003A080CH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 詳細
GP1M003A080FH GP1M003A080FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A TO220F 詳細
GP1M003A080H GP1M003A080H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A TO220 詳細
GP1M003A080PH GP1M003A080PH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A IPAK 詳細