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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › GP1M010A080H
GP1M010A080H

GP1M010A080H - Global Power Technologies Group

品番
GP1M010A080H
メーカー
Global Power Technologies Group
簡単な説明
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
GP1M010A080H PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
GP1M010A080H.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4163 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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GP1M010A080H 詳細な説明

品番 GP1M010A080H
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.5A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 53nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2336pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 290W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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