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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › GP1M009A020FG
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG - Global Power Technologies Group

品番
GP1M009A020FG
メーカー
Global Power Technologies Group
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
GP1M009A020FG PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
GP1M009A020FG.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3808 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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GP1M009A020FG 詳細な説明

品番 GP1M009A020FG
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 8.6nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 414pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 17.3W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
重量 -
原産国 -

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