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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › GP1M008A050HG
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG - Global Power Technologies Group

品番
GP1M008A050HG
メーカー
Global Power Technologies Group
簡単な説明
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
GP1M008A050HG PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
GP1M008A050HG.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3551 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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GP1M008A050HG 詳細な説明

品番 GP1M008A050HG
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 21nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 937pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 120W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 850 mOhm @ 4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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