日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

GP1M008A025FG - Global Power Technologies Group

品番: GP1M008A025FG
メーカー: Global Power Technologies Group
簡単な説明: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: GP1M008A025FG PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: GP1M008A025FG.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 3930 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

GP1M008A025FG 詳細な説明

品番	GP1M008A025FG
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	250V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	8A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	8.4nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	423pF @ 25V
Vgs（最大）	±30V
FET機能	-
消費電力（最大）	17.3W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	600 mOhm @ 4A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220F
パッケージ/ケース	TO-220-3 Full Pack
重量	-
原産国	-

関連製品 GP1M008A025FG

画像	品番	メーカー	説明	見る
	GP1M003A040CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 400V 2A DPAK	詳細
	GP1M003A040PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 400V 2A IPAK	詳細
	GP1M003A050CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK	詳細
	GP1M003A050FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F	詳細
	GP1M003A050HG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220	詳細
	GP1M003A050PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK	詳細
	GP1M003A080CH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A DPAK	詳細
	GP1M003A080FH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A TO220F	詳細
	GP1M003A080H	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A TO220	詳細
	GP1M003A080PH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 3A IPAK	詳細