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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › GP1M006A065FH
GP1M006A065FH

GP1M006A065FH - Global Power Technologies Group

品番
GP1M006A065FH
メーカー
Global Power Technologies Group
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
GP1M006A065FH PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
GP1M006A065FH.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4377 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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GP1M006A065FH 詳細な説明

品番 GP1M006A065FH
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.5A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 17nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1177pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 39W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
重量 -
原産国 -

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