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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › GP1M003A090C
GP1M003A090C

GP1M003A090C - Global Power Technologies Group

品番
GP1M003A090C
メーカー
Global Power Technologies Group
簡単な説明
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
GP1M003A090C PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
GP1M003A090C.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4221 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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GP1M003A090C 詳細な説明

品番 GP1M003A090C
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 900V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.5A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 17nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 748pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 94W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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