• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › 集積回路（IC） › メモリ › GD25Q16CSJG
GD25Q16CSJG

GD25Q16CSJG - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

品番
GD25Q16CSJG
メーカー
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
簡単な説明
NOR FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
GD25Q16CSJG PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
メモリ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
374755 pcs
参考価格
USD 0.4885/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください GD25Q16CSJG

GD25Q16CSJG 詳細な説明

品番 GD25Q16CSJG
部品ステータス Active
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット FLASH
技術 FLASH - NOR
メモリー容量 16Mb (2M x 8)
クロック周波数 120MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 50µs, 2.4ms
アクセス時間 -
メモリインターフェイス SPI - Quad I/O
電圧 - 供給 2.7V ~ 3.6V
動作温度 -40°C ~ 105°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
重量 -
原産国 -

関連製品 GD25Q16CSJG

画像 品番 メーカー 説明 見る
GD25-15P-NF GD25-15P-NF Laird Technologies IAS ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM 詳細
GD25-15P-NM GD25-15P-NM Laird Technologies IAS ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE 詳細
GD25-19P-NF GD25-19P-NF Laird Technologies IAS ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM 詳細
GD25-19P-NM GD25-19P-NM Laird Technologies IAS ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE 詳細
GD25-24P-NF GD25-24P-NF Laird Technologies IAS ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM 詳細
GD25-24P-NM GD25-24P-NM Laird Technologies IAS ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE 詳細
GD25D05CEIGR GD25D05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH 詳細
GD25D05CKIGR GD25D05CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45 詳細
GD25D05CTIG GD25D05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH 詳細
GD25D05CTIGR GD25D05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH 詳細