• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - アレイ › MURTA500120R
MURTA500120R

MURTA500120R - GeneSiC Semiconductor

品番
MURTA500120R
メーカー
GeneSiC Semiconductor
簡単な説明
DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
MURTA500120R PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
MURTA500120R.pdf
カテゴリー
ダイオード - 整流器 - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
339 pcs
参考価格
USD 78.9011/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください MURTA500120R

MURTA500120R 詳細な説明

品番 MURTA500120R
部品ステータス Active
ダイオード構成 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 1200V
電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） 250A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 2.6V @ 250A
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） -
電流 - 逆リーク（Vr） 25µA @ 1200V
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Three Tower
サプライヤデバイスパッケージ Three Tower
重量 -
原産国 -

関連製品 MURTA500120R

画像 品番 メーカー 説明 見る
MURT10005 MURT10005 GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER 詳細
MURT10005R MURT10005R GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER 詳細
MURT10010 MURT10010 GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER 詳細
MURT10010R MURT10010R GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER 詳細
MURT10020 MURT10020 GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER 詳細
MURT10020R MURT10020R GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER 詳細
MURT10040 MURT10040 GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER 詳細
MURT10040R MURT10040R GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER 詳細
MURT10060 MURT10060 GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER 詳細
MURT10060R MURT10060R GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER 詳細